氧化铈抛光液 氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。 适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。

这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。

CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

乳化蜡用作皮革光亮剂、消光剂和手感剂等 人们对皮革制品的外观有两大类要求，一是增加皮革光泽， 如打光革、漆革、抛光效应革等；另一种是不要光泽感，使皮革呈现感、自然美。前者需要用到光亮剂，后者需要用到消光剂。选用不同的蜡乳液用于皮革顶层涂饰时，有的可增加皮革光泽感或光亮度，有的可产生消光作用呈现风韵。产生光亮作用的蜡乳液粒径要求很小，组成比较单一，在皮革表层形成一层均相且连续的蜡的薄膜，微观上薄膜很平滑，对光波产生较强烈的反射作用，从而具有光泽感；产生消光作用的蜡乳液粒径较大，在皮革表面形成一种非均相且微观上不平整的表面，对光波产生强烈的散射作用，散射作用是消光剂产生消光作用的根本原因。