物质再生应用研究所（原内贸部物质再生应用研究所）采用硫代硫酸钠溶液溶解废胶片上的卤化银，溶解过程中参加抑制剂阻止胶片上明胶的溶解，溶解液经电解回收银，片基回收应用。银浸出率>99%，回收率98%，银纯度99.9%。此法已应用于工业消费。从废胶片中回收银 贵金属研究所应用稀硫酸液洗脱彩片上含银乳剂层，氯盐加热沉淀卤化银，氯化培烧或有机溶剂洗涤除有机物，碱性介质用糖类固体悬浮恢复得纯银。银纯度99.9%，直收率98%。
其他贵金属废料：钯水、钯银浆、钯盐、钯粉、氯化钯、钯碳催化剂、钯浆等公司秉承“以诚合作、以信经营、互利互赢、价格从优”的经营理念竭诚为你服务，（并对提供信息者*保密重酬*）。砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。
银（Ag）是白色、有光泽的金属。熔点961.93℃，沸点2212℃，密度10.5克/立方厘米（20℃），熔解热为11.30千焦/摩尔，汽化热为250.580千焦/摩尔。银质软，摩氏硬度为3.25度，有良好的柔韧性和延展性，延展性仅次于金，能压成薄片，拉成细丝。1克银可拉成1800米长的细丝，可轧成厚度为1/100000毫米的银箔，是导电性和导热性的金属。银对光的反射性也很好，反射率可达到91%。
砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。